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首先介绍一下NAND FLASH/NOR FLASH：

  • Nand Flash：Nand Flash存储器是Flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand Flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。

  • Nor Flash：也是一种存储介质，由Intel于1988年开发出来，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。它的存储空间一般比较小，但它可以不用初始化，可以在其内部运行程序，一般在其存储一些初始化内存的固件代码。

二者的区别：

  • NOR的特点是芯片内执行（XIP,eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。优点是可以直接从Flash中运行程序，但是工艺复杂，价格比较贵，NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

  • NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理和需要特殊的系统接口。优点：大存储容量，而且便宜。缺点，就是无法寻址直接运行程序，只能存储数据。另外NAND Flash 非常容易出现坏区，所以需要有校验的算法。

  • 在NAND闪存中每个块的最大擦写

本文标签： 存储器区别NANDflashEMMC

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