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2024年6月5日发(作者：)

三星闪存芯片命名规律

1. Memory (K)

2. NAND Flash : 9

3. Small Classification

(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,

SM : SmartMedia, S/B : Small Block)

1 : SLC 1 Chip XD Card

2 : SLC 2 Chip XD Card

4 : SLC 4 Chip XD Card

A : SLC + Muxed I/ F Chip

B : Muxed I/ F Chip

D : SLC Dual SM

E : SLC DUAL (S/ B)

F : SLC Normal

G : MLC Normal

H : MLC QDP

J : Non-Muxed OneNand

K : SLC Die Stack

L : MLC DDP

M : MLC DSP

N : SLC DSP

Q : 4CHIP SM

R : SLC 4DIE STACK (S/ B)

S : SLC Single SM

T : SLC SINGLE (S/ B)

U : 2 STACK MSP

V : 4 STACK MSP

W : SLC 4 Die Stack

4－5. Density

12 : 512M

16 : 16M

28 : 128M

32 : 32M

40 : 4M

56 : 256M

64 : 64M

80 : 8M

1G : 1G

2G : 2G

4G : 4G

8G : 8G

AG : 16G

BG : 32G

CG : 64G

DG : 128G

00 : NONE

6－7. organization

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本文标签： 闪存规律芯片命名

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