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固态硬盘掉速是电脑玩家们经常讨论的话题,似乎没有一种完全不掉速的型号,这是怎么回事呢?
由SLC缓存直接引发的掉速
虽然闪存已经发展到3D制程,但本质上它依然是TLC类型,需要依靠SLC缓存来提升写入速度。
一旦SLC缓存短时间内大量写入用完,来不及恢复,写入速度就会有所下降。这是当代固态硬盘都绕不开的弯。好消息是家用电脑的系统盘除了首次安装系统和软件,其他时候大量、不间断写入的机会比较少。所以尽管这种情况一定存在,通常固态硬盘在作为系统盘使用中却很少会遇到。
由SLC缓存间接引发的掉速
既然SLC缓存用完之后写入速度铁定下滑,那么增大SLC缓存会怎样?这样当然造不出“永动机”,全盘SLC算法仅在空盘时能发挥较好性能,随着盘内使用空间的增加,最终释放缓存引发的掉速不可避免的会增多,并逐渐落后于东芝TR200这类固定SLC算法的固态硬盘。
固定SLC算法在外表看来缓存容量不大,但优点是性能保持稳定,即便使用到接近满盘,也不会有明显性能衰减。
不光AS SSD Benchmark与CrystalDiskMark不掉速,90%满盘状态下的东芝TR200 960G在PCMark 8存储性能测试中同样做到了完全不掉速:
DRAM缓存引发的掉速
网上有一种说法是无DRAM缓存的固态硬盘易掉速,而现在无DRAM缓存的固态硬盘越来越多,大有一统天下的局面。这种情况真的会掉速吗?
无DRAM缓存的固态硬盘因为没有空间存放完整的FTL表,FTL交换在闪存和主控内的小容量SRAM缓存之间实时进行。数据存放的位置跨度越大,随机读取请求越有可能因为闪存转换层需要进入NAND查表而延迟。
不过实际上主控SRAM内存储的FTL闪存映射表并不是针对固定某一段位置,而是随着电脑数据读写热度而动态调整,常用数据可直接从SRAM缓存中命中结果,相比外置DRAM缓存还要更高效。
通过在TxBENCH中设定不同的测试范围,可以发现东芝TR200主控中的SRAM缓存可以支持到8GB地址范围的完整寻址。即便将测试区间扩展到32GB也能提供35MB/s的4K QD1随机读取速度,充分保障了日常使用性能。
对于家用电脑来说,东芝TR200已经能够满足大多数用户的上网娱乐和办公需求。如果你的电脑还需要更强的读写性能来进行图形图像设计类工作,更高端的Q200或者RC100将能更好地满足你的需求。
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