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2024年7月10日发(作者：)
安徽富信半导体科技有限公司
ANHUIFOSANSEMICONDUCTORTECHNOLOGYCO.,LTD.
FS4435
SOP-8PChannelEnhancement沟道增强型
MOSFieldEffectTransistor场效应管
▉
Features特点
Lowon-resistance低导通电阻
R
DS(ON)
=18mΩ(Type)@V
GS
=-10V
R
DS(ON)
=22mΩ(Type)@V
GS
=-4.5V
▉
Applications
应用
LoadSwitch负载开关
DC/DCPowerSystem电源升压系统
HighFrequencyPoint-of-LoadSynchronous负载点高频同步
▉
InternalSchematicDiagram内部结构
▉
AbsoluteMaximumRatings最大额定值
Symbol
符号
BV
DSS
V
GS
I
D
（atT
A
=25°C）
I
DM
P
TOT
(at
T
A
=25°C)
R
Θ
JA
T
J
,
T
stg
Rat
额定值
-30
+20
-10
-20
2
62
-55~150
Unit
单位
V
V
A
A
W
℃
/W
℃
Characteristic
特性参数
Drain-SourceVoltage
漏极
-
源极电压
Gate-SourceVoltage
栅极
-
源极电压
DrainCurrent(continuous)
漏极电流
-
连续
DrainCurrent(pulsed)
漏极电流
-
脉冲
TotalDeviceDissipation总耗散功率
ThermalResistanceJunction-Ambient热阻
Junction/StorageTemperature
结温/储存温度
安徽富信半导体科技有限公司
ANHUIFOSANSEMICONDUCTORTECHNOLOGYCO.,LTD.
FS4435
▉
ElectricalCharacteristics
电特性
Symbol
符号
BV
DSS
V
GS
(th)
I
DSS
I
GSS
R
DS(ON)
V
SD
C
ISS
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
Min
最小值
-30
-1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Typ
典型值
—
-1.8
—
—
18
22
-0.8
1350
190
161
21
3.5
5
25
20
60
9
Max
最大值
—
-2.5
-1
+100
25
32
-1.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Unit
单位
V
V
u
A
n
A
(T
A
=25℃unlessotherwisenoted如无特殊说明，温度为25℃)
Characteristic
特性参数
Drain-SourceBreakdownVoltage
漏极-源极击穿电压(I
D
=-250uA,V
GS
=0V)
GateThresholdVoltage
栅极开启电压(I
D
=-250uA,V
GS
=V
DS
)
ZeroGateVoltageDrainCurrent
零栅压漏极电流
(V
GS
=0V,V
DS
=-24V)
GateBodyLeakage
栅极漏电流
(V
GS
=+20V,V
DS
=0V)
StaticDrain-SourceOn-StateResistance
静态漏源导通电阻(I
D
=-10A,V
GS
=-10V)
(I
D
=-6A,V
GS
=-4.5V)
DiodeForwardVoltageDrop
内附二极管正向压降
(I
SD
=-1A,V
GS
=0V)
InputCapacitance输入电容
(V
GS
=0V,V
DS
=-15V,f=1MHz)
CommonSourceOutputCapacitance
共源输出电容
(V
GS
=0V,V
DS
=-15V,f=1MHz)
ReverseTransferCapacitance
反馈电容
(V
GS
=0V,V
DS
=-15V,f=1MHz)
TotalGateCharge栅极电荷密度
(V
DS
=-15V,I
D
=-10A,V
GS
=-10V)
GateSourceCharge
栅源电荷密度
(V
DS
=-15V,I
D
=-10A,V
GS
=-10V)
GateDrainCharge栅漏电荷密度
(V
DS
=-15V,I
D
=-10A,V
GS
=-10V)
Turn-ONDelayTime
开启延迟时间
(V
DS
=-15VI
D
=-5A,R
GEN
=3.3
Ω
,V
GS
=-10V)
Turn-ONRiseTime开启上升时间
(V
DS
=-15VI
D
=-5A,R
GEN
=3.3Ω,V
GS
=-10V)
Turn-OFFDelayTime关断延迟时间
(V
DS
=-15VI
D
=-5A,R
GEN
=3.3Ω,V
GS
=-10V)
Turn-OFFFallTime关断下降时间
(V
DS
=-15VI
D
=-5A,R
GEN
=3.3Ω,V
GS
=-10V)
mΩ
V
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
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