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2024年6月30日发(作者：)

同步降压转换器SGM61230

SGM61230是一颗输入电压4.5V至28V、连续输出电流3A的同步降压转换器，

包括两个集成开关场效应管、内部回路补偿和内部5ms软启动，有效减少元件使

用数量。跳频模式用来实现最大化轻载效率和降低功率损耗；66mΩ高侧N沟道

MOSFET的逐周期电流限制功能可以保护过载条件下的转换器，并通过36mΩ低

侧MOSFET续流电流限制功能来防止电流失控。

图1 5V/3A参考设计

4.5V至28V宽输入电压范围

集成66mΩ和36mΩ MOSFET，用于3A连续输出电流

2μA关断电流，25μA静态电流

内部5ms软启动

固定410kHz开关频率

内部PWM和跳频模式

峰值电流模式控制

内部回路补偿

两个MOSFET的过电流保护

过电压保护

热关机

-40℃至+125℃工作温度范围

绿色TSOT-23-6封装

抗过载特性是SGM61230最突出的特点之一。与市场同规格产品相比，

SGM61230在遭遇过载情况时不会立即触发打嗝或电流折返保护，能维持在最

大峰值电流控制默认的状态下持续输出，确保系统在极限条件下可以持续提供负

载输出，直到产品热保护，这极大地支撑了系统最大运行状态，并防止系统突发

负载输出不够而产生宕机现象。

这意味着在轻微过载情况下，SGM61230也能持续最大负载输出，直到系统恢

复正常负载。即便系统持续过载，SGM61230也会持续最大能力输出，直到芯

片热保护或者负载解除。

同步的架构在内部集成了高侧（66mΩ）和低侧（36mΩ）MOSFET，较低的

R

ON

可以优化产品的输出效率。芯片通过使用内部补偿电压控制高侧MOSFET的

关断和低侧MOSFET的开启，实现对电流模式的控制。在每个周期中，开关电流

会与由内部补偿电压产生的参考电流进行比较。当峰值开关电流与参考电流相交

（Intersect）时，高侧开关关闭。与此同时，当低侧MOSFET打开时，传导电

流会受到内部电路监测。正常运行期间，低侧MOSFET为负载提供源极电流

（Source Current）。在每个时钟周期结束时，将低侧MOSFET源极电流与内

部设定的低侧源极电流限值进行比较。当电感谷电流超过低侧源电流限值，在下

一个周期内高侧MOSFET不会导通，而低侧MOSFET继续保持导通。如下图所

示，当电感谷电流低于低侧源极电流限制时，高侧MOSFET会再次开启。

图2 通过MOSFET进行过电流保护

SGM61230虽采用410kHz固定频率PWM控制方式，但得益于跳频模式，其在

轻载模式下也能实现高效率。具体而言，当电感峰值电流低于500mA时，芯片

会认为负载是轻载且能根据负载电流情况逐渐降低开关频率，从而实现轻载高

效。表1及图3、图4的数据展示了这一特点。

表1 不同输出电流时SGM61230效率

图3 不同输出电流时SGM61230效率曲线

图4 SGM61230轻载时效率曲线

白色家电、机顶盒、数字电视、打印机、以及工业中的12V分布式电源总线供电

是SGM61230的主要应用领域，凭借具备出色的抗过载性能、高效、小尺寸封

装等诸多优势，正成为国产高性价比模拟芯片的首选物料。

本文标签： 电流输出过载保护效率

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