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2024年4月21日发(作者:)
+12V、0.5A单片开关稳压电源电路
+12V、0.5A单片开关稳压电源的电路如图所示。其输出功率为6W。当输入交流电压在
110~260V范围内变化时,电压调整率Sv≤1%。当负载电流大幅度变化时,负载调整
率SI=5%~7%。为简化电路,这里采用了基本反馈方式。
接 通电源后,220V交流电首先经过桥式整流和C1滤波,得到约+300V的直流高压,
再通过高频变压器的初级线圈N1,给WSl57提供所需的工作电压。 从次级线圈N2上
输出的脉宽调制功率信号,经VD7、C4、L和C5进行高频整流滤波,获得+12V、0.5A
的稳压输出。反馈线圈N3上的电压则通过 VD6、R2、C3整流滤波后,将控制电流加
至控制端C上。由VD5、R1,和C2构成的吸收回路,能有效抑制漏极上的反向峰值电
压。该电路的稳压原理分 析如下:当由于某种原因致使Uo↓时,反馈线圈电压及控制
端电流也随之降低,而芯片内部产生的误差电压Ur↑时,PWM比较器输出的脉冲占空
比D↑,经过 MOSFET和降压式输出电路使得Uo↑,最终能维持输出电压不变。反之亦
然。
为了抑制初、次级之间的共模干扰,在N2、N3的同相端还并联一只1500pF
/2kV的高压陶瓷电压C6。VD5可以选用 UF4005(1A/600V)型超快恢复二极管。VD6
选1N4148型硅高速开关二极管。VD7须采用3A/40V以上的肖特基二极管,可选B82
— 004型(15A/40V)。 C2宜选2200pF/1kV的高压陶瓷电容。R1为C2的泄放电阻,
可防止断电后在C2上积累的电荷形成高压。为降低空载电压,在输出端并联一只 560
2
Ω的最小负载电阻。高频变压器可选国产E-20型铁氧体磁心。其截面积Sj=0.25cm
。
绕制方法应为先绕N1,再绕N2,最后绕N3,并需注意线圈的极性。各绕组所用漆包
线的线径与匝数已标明在图中。
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