zynq系列器件使用vivado配置国产内存

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zynq系列器件使用vivado配置国产内存

zynq系列器件使用vivado配置国产内存

• 一、镁光公司器件命名的含义
• 二、镁光公司DDR3容量的计算方法
• 三、紫光公司器件命名的含义
• 四、国产ddr（SCB13H8G162BF-13KI）和镁光（MT41K512M8-125）ddr参数对比
• 五、vivado参数填入

一、镁光公司器件命名的含义

以MT41K512M8-125器件为例，介绍镁光公司器件命名的含义。MT41K为固定前缀，512M8代表512M*8bit存储容量（深度乘以宽度），-125代表速度等级1600MHz，其tCK参数1.25ns，CL为11ns。

同时，ddr不同的速度等级对应不同的ddr频率，同时也代表了不同的CL、tRCD、tRP。如下图。

二、镁光公司DDR3容量的计算方法

镁光公司的2Gb内存芯片可以配置为
512Meg4
256Meg8
128Meg*16
注意此处的Meg不是MB的意思，而是信息的意思。
16Meg x 16 x 8 Banks 代表的意思是ddr每个bank的读写深度为16M，宽度为16bit，bank数为8。

三、紫光公司器件命名的含义

本次选用SCB13H8G162BF-13KI器件，其容量是64M words x 16 bits x 8 banks=8Gb。从其命名规则可以看出，最后-13K代表CL-tRCD-tRP=11-11-11。该器件等效512*16。
读者不要被64M 后的words所误导，此处的words代表的意思是“信息”，而不是MB的意思。

四、国产ddr（SCB13H8G162BF-13KI）和镁光（MT41K512M8-125）ddr参数对比

1.时钟频率，镁光时钟频率是800M；紫光时钟频率800M，ddr数据频率为800*2；
2.时间参数，镁光tRCD_tRP_CL=11-11-11，紫光CL-tRCD-tRP=11-11-11。

五、vivado参数填入

首选寻找等同于镁光的器件，深度为512*16。没有找到，只能手动输入参数了。
手动参数输入如下：
1.burst lengths。

2.speed bins。

3.bank address count。
4.row address count。
5.col address count。
6.CAS latency。
11ns
7.CAS write latency。
8.RAS to CAS delay。
9.precharge time。
10.tRC。

11.tRASmin。

12.tFAW