COMS技术

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n型MOS(NMOS)三极管的结构如图所示，该图不是按照实际比例绘制的。三极管的衬底是被掺杂后成为p型半导体材料的硅晶片。NMOS衬底的厚度远比其他三极管要厚。在每个三极管上有两个区域，被掺入大量的杂质，成为n型半导体区域。这两个区域分别形成了三极管的源极和漏极。实际上，源极和漏极可以互换，但是不管如何互换，源极到漏极的电压通常总是正的。在源极和漏极上都有各自的金属连接点。多晶硅(polysilicon)栅极与三极管的其他区域之间用二氧化硅绝缘层隔离。原先，栅极也有金属连接点;MOS的名称也是因金属氧化半导体三极管的这种结构而来的。

当栅极电压与源极相同时，源极与漏极之间是绝缘的。随着栅极电压的上升，栅极-氧化物-p型半导体衬底重叠在一起的三个层面(三明治)所起的作用等效干电容器，因此负电荷就在半导体的表面聚集。当逐渐增加的负电荷达到开关阈值时，在源极与漏极之间立即形成n型硅的通道。这个通道使源极与漏极之间导通。因此，NMOS三极管可以用做开关，当NMOS三极管栅极电压为低时，开关断开;当栅极电压为高时，开关接通。
在n型硅晶片的衬底上制造两个掺杂的p型区域:源区和漏区，就可以构成p型MOS(即PMOS)晶体管。因此，当PMOS 三极管的栅极电压为低时，三极管接通;当栅极电压为高时，三极管断开。