传统emmc所用的sdio接口

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传统emmc所用的sdio接口

拼 命 加 载 中 ...

iPhone 6s与iPhone 6s

Plus在硬件的规格上有了很大的提升，但是它们身上的变化远没有苹果在发布会上所提到的A9处理器、1200万摄像头以及3D Touch那么简单，内存升级到2GB

LPDDR4苹果就只字没提到，其实这两台手机上有着更大的秘密，它们的存储设备既不是eMMC也不是UFS规范，而是NVMe。

Anandtech透过深度发掘手机内的系统文件，发现iPhone

6s所用的是型号为AP0128K的苹果SSD，而2015版MacBook上所用的SSD型号为AP0256H，这两者在命名上很相似。

他们发现iPhone

6s上的SSD用的不是传统eMMC所用的SDIO接口，而是PCI-E，这个PCI-E也不电脑上的那个，是基于MIPI

M-PHY物理层的PCI-E，使用NVMe接口协议，UFS规范走的也是PCI-E物理层同样是MIPI M-PHY，不过接口协议是SCSI。

一般来说现在智能手机都是使用eMMC规范的闪存存储装置，今年三星在Galaxy S6系列手机上推行了UFS

2.0规范的存储装置后手机的闪存读写性能获得显著提升，大幅抛离其他手机，现在苹果要在iPhone 6s系列手机上使用的NVMe则更是电脑上用的最新规范。

从iFixit拆解iPhone 6s和iPhone 6s

Plus的照片上来看，上面闪存也只有一颗，没看到控制器，可以推断这个芯片其实已经整合了控制器以及NAND

Flash，Anandtech读出了他们所测的机器上的闪存内部信息，NAND型号是1Y128G-TLC-2P，也就是说使用1Y nm工艺的TLC

NAND，容量为128GB。

下面是iPhone 6s的闪存性能测试，大家来感受一下NVMe的威力：

连续读取速度是402MB/s，远远抛离上代产品

连续写入速度为164MB/s，比上一代产品翻了一翻

4K随机读取速度为22.5MB/s，比上代也有大幅提升，不过没三星的Galaxy S6强

4K随机写入速度为2.2MB/s，也较iPhone 6有很大提升，不过手机与平板这项表现都偏弱