半导体芯片内部集成晶体管，电阻电容电感

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半导体芯片内部集成晶体管，电阻电容电感

半导体芯片除了有源器件（晶体管之类），只能集成电阻以及容量不是很大的电容，不能集成电感。

集成电路制作电感电容很困难， 或者会占用很大的宝贵的芯片面积，制作电阻困难相对比较小，但是也会占用较多芯片面积，而且会造成芯片热损耗增大，芯片温度升高或分布不匀等问题。最容易制作的是晶体管，所以集成电路的电路设计中尽可能不使用电感电容元件，尽少使用电阻元件，尽量用晶体管代替。必不可少的大电容器大电感器等就放在集成电路之外，通过集成电路特定管脚连接在一起。

按现在工艺，集成电容不是难事，但是；成本非常高。电容的最重要特征是；需要大的正对电极面积及高介电且低耗的绝缘介质，这就意味需要用大面积硅晶片做它们。而面积直接关系成本。举个例子，一张标准CMOS工艺的六寸成品晶圆价值大体在200美元，依次，如果能出一千片合格晶片，那么每颗芯片成本20美分，如果做0.1uF电容，估计能出200片都不错了。呵呵，你为方便，愿意多出$1.8？何况价格还与出货量有关，早期的开发成本要摊到每个IC里，如此做后的实际成本会突破10美刀。

目前也有部分器件是内部采用了SIP技术集成了电感电容的，成本会高一些，比如我们的一些隔离电源模块。

SIP（System In a Package系统级封装）是将多种功能芯片，包括处理器、存储器等功能芯片集成在一个封装内，从而实现一个基本完整的功能。与SOC（System On a Chip系统级芯片）相对应。不同的是系统级封装是采用不同芯片进行并排或叠加的封装方式，而SOC则是高度集成的芯片产品。