GaN HEMT

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GaN HEMT

1 Power GaN Device Material
Si GaAs AlN GaN材料特性


另外的文献1

另外的文献2

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2氮化物宽禁带半导体材料与电子器件 -郝跃








3 Vertical GaN and SiC Power Device


关于能带的解释

在半导体中，最外层的价电子完全填满了允许的能带(即价带)，与下一个更高的能带之间存在一个能隙(图2.11)。温度超过0K时，价带没有被完全填满，因为少数电子具有足够的热能被激发穿过能隙进入下一个允许的能带。由于上能带中的电子可以响应外加电场产生电流，所以上能带被称为导带。导带的底边和价带的顶边通常分别用EC和EV表示。
在半导体中，EC和EV是晶体动量的函数，能隙Eg定义为最小EC和最大EV之差(图2.12)。对于直接带隙半导体(例如AlN和GaN)，EC达到最小值时的动量和EV达到最大值时的动量相同(图2.12[a])；然而，对于间接带隙半导体(如硅和碳化硅)，它们是不同的(图2.12[b])。