半导体的耗尽层相对窄，低掺杂时耗尽层相对宽？"/>
为什么高掺杂半导体的耗尽层相对窄，低掺杂时耗尽层相对宽？
多空穴的P型半导体和多电子的N型半导体结合时，由于浓度梯度的存在，P区的空穴向N区扩散，N区的电子向P区扩散，而想对应的跑掉了空穴/电子的区域，则会形成带负/正电荷的耗尽区。
在耗尽区中形成N指向P的电场直到受到电场作用而漂移的电子/空穴与受到浓度梯度作用而扩散的电子/空穴相抵消。
掺杂浓度高的P区，在很窄的区域就可以提供足够的空穴。从浓度梯度的角度来讲，高掺杂区域扩散速度快，迅速形成耗尽层，进而产生内建电场，对后续的扩散形成阻碍，所以耗尽层窄；低掺杂区域则正好相反，扩散速度慢，在耗尽层形成之前，已经有较多空穴与电子相结合，因此耗尽层区域宽。
总结来讲就是PN结耗尽层主要在低掺杂一侧展宽。
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