DDR2学习笔记(3)

编程入门 行业动态 更新时间:2024-10-11 15:22:32

DDR2<a href=https://www.elefans.com/category/jswz/34/1770117.html style=学习笔记(3)"/>

DDR2学习笔记(3)

READ指令

(1)READ指令用来初始化一个触发读存储到一个被激活的行上。变量BA1,BA0用来选择bank,A0-A9用来选择在bank中的列,A10决定是否使用auto precharge。如果选择了auto precharge,该行在读操作结束之后变为precharge;如果没有选择auto precharge,该行在结束读操作之后为随后的存取保持激活状态。

开启READ 指令的时钟和使能信号如图所示:

 

(2)在读触发期间,从列地址的输入到可用的数据输出之间的

延时称作Read Latency(RL);RL=CL+AL。

下图所示的是READ Latency的具体情况:

对应的三幅图分别是RL=3(AL=0,CL=3)、RL=4(AL=1,CL=3)、RL=4(AL=0.CL=4)的情况。

其中,DO n表示的是对应于第n列地址的数据信号。

这里,BL=4,故在DO n之后有三个连续的数据输出。

在READ指令下,DQ,DQS,DQS#均为输出信号。DQS,DQS#伴随着输出数据被DDR2 SDRAM驱动,最初的DQS的LOW状态和DQS#的HIGH状态是由READ开头控制的,结束的DQS的HIGH状态和DQS#的LOW状态是由最后一个数据元素输出结束控制的。


(3)READ触发可以被连续执行,后来的READ指令的输出数据可以跟前一个READ指令连续,即新的READ指令输出的第一个元素可以跟随在前一个READ指令的最后一个输出元素后。需要满足的条件是新的READ指令在前一个READ指令执行至少BL/2个时钟周期之后执行。

连续的读出数据如下图所示:其中,DO n表示的是对应于第n列地址的数据信号。

这里,BL=4,故在DO n之后有三个连续的数据输出。

非连续的读出数据如下图所示:其中,DO n表示的是对应于第n列地址的数据信号。

这里,BL=4,故在DO n之后有三个连续的数据输出。

(4)当BL=4时,DDR2 SDRAM的读传输不允许被中断或截短。一旦BL=4,读指令操作必须完成完整的读触发。然而,READ操作(auto precharge失效情况即A10=LOW)且BL=8时,有可能可以被其它READ触发中断或截短。只有当中断发生在上一个READ指令正好传输了4n个数据的情况下才能被其它READ触发中断或截短。下图所示的是BL=8(auto precharge失效情况即A10=LOW)时,被其它READ触发中断或截短,此时上一个READ指令正好传输了4个数据。新的READ指令auto precharge可以有效也可以无效(A10为LOW和HIGH都可以)。

(5)DDR2 SDRAM在做READ with auto precharge(当A10=HIGH)操作时装换到其它命令的延时如下表所示:

(6)READ指令后接PRECHARGE指令

当auto precharge失效的情况下,READ指令后可跟随一个PRECHARGE指令。下图分别为BL=4,BL=8两种情况下READ指令后跟随一个PRECHARGE指令的情况。在相同的bank中READ指令后跟随PRECHARGE的延时为AL+BL/2+tRTP-2个时钟周期。

当READ指令执行时,如果A10=HIGH,表示READ指令里包含auto precharge功能。该DDR2 SDRAM在tRAS(min)和tRTP满足的情况下之后的(AL+BL/2)个时钟周期的上升沿开始执行AUTO PRECHARGE操作。如果tRAS(min)在该上升沿的到来的时候不满足条件,AUTO PRECHARGE操作开始的点必须延迟直到tRAS(min)满足条件。如果tRTP(min)在该上升沿的到来的时候不满足条件,AUTO PRECHARGE操作开始的点必须延迟直到tRTP (min)满足条件。在任何情况下,内部的precharge不可能早于在上一个4-bit完成之后的两个时钟周期内开始。

下图表示的是READ指令里不包含auto precharge(A10=LOW)功能的时候,从READ指令到PRECHARGE指令的延时为AL+BL/2+Trtp-2个时钟周期。需要注意的是,在图中BL=4,AL=0。如果tRAS的最小值被满足,PRECHARGE指令仅在T6时刻被应用。

图中针对tAC和tDQSK最大最小的两种情况分别给出了DQ的最后时序图。

下图表示的是READ指令里包含auto precharge(A10=HIGH)功能的时候的时序。需要注意的是,在图中BL=4,AL=1,CL=3。DDR2 SDRAM 内部推迟auto precharge直到tRAS(min)和tRTP(min)均被满足。

图中针对tAC和tDQSK最大最小的两种情况分别给出了DQ的最后时序图。

(7)READ操作后WRITE操作

来自任何READ触发的数据必须传送完成,才能允许随后的WRITE触发。如下图所示:

(图中BL=4,CL=3,AL=2,RL=CL+AL=5,WL=CL+AL-1=RL-1=4)

(8)下图中描述的是x16的数据输出时序,包括tDQSQ和tQH和数据有效的采样点(即能被采样的范围)

需要注意的是,

a,在DQS转换之后的DQ数据的转换定义了tDQSQ的时间窗。tDQSQ来自于每个DQS的时钟上升沿并且不能累计时间,tDQSQ开始于DQS的传递,结束于最后一个DQs可用的传递。

b,tQH是由tHP定义的:tQH=tHP- tQHS,而tHP指的是当一个bank处于激活状态的时候,半个时钟周期。

c,数据有效的采样点的范围是tQH-tDQSQ

(9)

更多推荐

DDR2学习笔记(3)

本文发布于:2024-02-11 06:52:13,感谢您对本站的认可!
本文链接:https://www.elefans.com/category/jswz/34/1679708.html
版权声明:本站内容均来自互联网,仅供演示用,请勿用于商业和其他非法用途。如果侵犯了您的权益请与我们联系,我们将在24小时内删除。
本文标签:学习笔记

发布评论

评论列表 (有 0 条评论)
草根站长

>www.elefans.com

编程频道|电子爱好者 - 技术资讯及电子产品介绍!