采用节省空间的封装W25Q128JWPIM、W25Q128JWEIQ、W25Q128JWSIM、W25Q128JWBIQ (128M

节省空间的封装W25Q128JWPIM、W25Q128JWEIQ、W25Q128JWSIM、W25Q128JWBIQ (128M"/>

采用节省空间的封装W25Q128JWPIM、W25Q128JWEIQ、W25Q128JWSIM、W25Q128JWBIQ (128M

W25Q128JW 1.8V 128M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL, QUAD SPI

描述

W25Q128JW (128M-bit) 串行闪存阵列分为65，536个可编程页面，每个页面256字节。一次最多可编程256个字节。页面可以以16个为一组（4KB扇区擦除）、128个为一组（32KB块擦除）、256组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除。W25Q128JW分别有4，096个可擦除扇区和256个可擦除块。4KB小扇区为需要数据和参数存储的应用提供了更大的灵活性。

W25Q128JW支持标准串行外设接口（SPI）和高性能双通道/四通道输出以及双通道/四通道I/O SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0（DI）、I/O1（DO）、I/O2和I/O3。使用SPI快速读取四通道I/O指令时，支持高达133MHz的SPI时钟频率，允许四通道I/O的等效时钟速率为532MHz（133MHz X 4）。这些传输速率优于标准异步8位和16位并行闪存。

规格参数

1、W25Q128JWPIM IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NOR
存储容量：128Mb
存储器组织：16M x 8
存储器接口：SPI - 四 I/O
时钟频率：133 MHz
写周期时间 - 字，页：-，3ms
电压 - 供电：1.7V ~ 1.95V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：8-WSON（6x5）

2、W25Q128JWEIQ IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NOR
存储容量：128Mb
存储器组织：16M x 8
存储器接口：SPI - 四 I/O
时钟频率：133 MHz
写周期时间 - 字，页：-，3ms
电压 - 供电：1.7V ~ 1.95V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：8-WSON（8x6）

3、8SOIC，W25Q128JWSIM IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NOR
存储容量：128Mb
存储器组织：16M x 8
存储器接口：SPI - 四 I/O
时钟频率：133 MHz
写周期时间 - 字，页：-，3ms
电压 - 供电：1.7V ~ 1.95V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC

4、W25Q128JWBIQ IC FLASH 128MBIT SPI 24TFBGA
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NOR
存储容量：128Mb
存储器组织：16M x 8
存储器接口：SPI - 四 I/O
时钟频率：133 MHz
写周期时间 - 字，页：-，3ms
电压 - 供电：1.7V ~ 1.95V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：24-TBGA
供应商器件封装：24-TFBGA（6x8）

明佳达W25Q128JWPIM、W25Q128JWEIQ、W25Q128JWSIM、W25Q128JWBIQ (128M-bit) 串行闪存

功能框图

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