EEPROM,NAND,NOR,QSPI FLASH的区别

一，常见存储器 
      RAM —— 特点：可以存储数据,掉电丢失,速度快 
      SRAM：静态存储器 。访问之前无需进行复杂的初始化工作 直接访问 
      DRAM:动态存储器特点：访问之前必须要初始化,只需初始化对应的控制器(此控制器又称内存控制器) 
        SDRAM,DDR... 
        ROM 
        NorFlash 
硬件接口：采用总线方式接口,和内存一 样,有地址线和数据线, 所以在NorFlash是可以运行+程序的,但是速度相对于内存要慢不少。擦写次数：10万次。没有坏块一说,相对于Nand非常稳定。              NandFlash 

二，名词解释

ROM：Read Only Memory，只读存储器，手机、计算机等设备的存储器，但现在的所说的ROM不只是Read Only了，也是可以写入的。

RAM：Random Access Memory，随机存取存储器，手机、计算机的运行内存。

SRAM：Static Random-Access Memory，静态随机存取存储器，只要供电数据就会保持，但断电数据就会消失，也被称为Volatile Memory

DRAM：Dynamic Random Access Memory，动态随机存储器，主要原理是利用电容存储电荷的多少来代表一个bit是0还是1，由于晶体管的漏电电流现象，电容会放电，所以要周期性的给电容充电，叫刷新。

SRAM不需要刷新也会保持数据丢失，但是两者断电后数据都会消失，称为Volatile Memory。 SDRAM：Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器，同步写入和读出数据的DRAM。

EEPROM：Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，电可擦除可编程只读存储器

DDR：Double Data Synchronous Dynamic Random Access Memory，双倍速率同步动态随机存储器，双倍速率传输的SDRAM，在时钟的上升沿和下降沿都可以进行数据传输。我们电脑的内存条都是DDR芯片。

FLASH： Flash Memory，闪存，非易失性固态存储，如制成内存卡或U盘。 

三，EEPROM：

Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory全称电可擦除可编程只读存储器。

PROM，可以自己写入一次，要是写错了，只能换一片，后来出现可多次擦除写入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外线上照一下；后来EEPROM出现可以随意的修改ROM中的内容，掉电后数据不丢失，可以擦写100w次，这种ROM的特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1。目前EEPROM都是几十字节到几百千字节的，绝少有超过512K，比如24C02

 硬件接口：I2C总线接口(常见) ， SPI总线接口 ，1-Wire总线接口 
        
 电可擦除存储器 ，写入数据之前,无需手动擦除,硬件自动帮你擦除，容量都比较小 

四，FLASH：FLASH属于广义的EEPROM，因为它也是电擦除的ROM。

但是为了区别于一般的按字节为单位的擦写的EEPROM，我们都叫它flash。

flash做的改进就是擦除时不再以字节为单位，而是以块为单位，数据密度更高，降低了成本。一兆以上的rom一般都是flash。如W25Q128JVSIQ。flash分为nor flash和nand flash，Nor和Nand相同点：写入数据之前,需要手动擦除！ 

1，nor flash：

nor flash数据线和地址线分开，可以实现ram一样的随机寻址功能，可以读取任何一个字节。但是擦除仍要按块来擦。依然W25Q128JVSIQ。Nor Flash 读写时序类似于SRAM，只是写的次数较少，速度也慢，由于其读时序类似于SRAM，读地址是线性结构，多用于程序代码的存储。nor flash 一旦损坏便无法再用。

2，nand flash：

nand Flash 相比其余的几种flash优势在于可擦写次数多，擦写速度快，但是在使用以及使用过程中会出现坏块因此需要做特殊处理才可以使用。其主要用于数据存储，大部分U盘都Nand Flash。而且nand flash可以标记坏块，从而使软件跳过坏块。由于nand flash引脚上复用，因此读取速度比nor flash慢一点，但是擦除和写入速度比nor flash快很多。nand flash同样是按块擦除，但是数据线和地址线复用，不能利用地址线随机寻址。读取只能按页来读取。（nandflash按块来擦除，按页来读，nor flash没有页），如：W29N01HVSINA。

 硬件接口：采用GPIO方式,无地址线,但是有数据线, 不能运行程序 
 问：没有地址线,CPU如何访问Nand内部的存储空间的地 址呢? 
 有坏块一说！ 擦写次数：百万次。价格相对比较便宜 
 又分三类：SLC，MLC，TLC 

NandFlash功能：又称闪存,类似硬盘属于存储器的一种能够存储数据,掉电不丢失。手机的参数：ROM 32GB。 

3，SPI Flash 同Nand Flash很类似，只是接口变成串行节省IO口，写速度慢些，主要用于不需要经常更改的数据存储。片内 SRAM 以及片外没什么本质区别，区别主要在于速度性能上。都可以用于存数据，除了SPI Flash外其余的够可以存储程序并且运行程序。具体支持哪种需要核实cpu使用手册。

五，Nor和Nand的相同点和不同点           

Nor和Nand相同点：写入数据之前,需要手动擦除！         

 NandFlash硬件接口：采用GPIO方式,无地址线,但是有数据线, 不能运行程序。         

NorFlash硬件接口：采用总线方式接口,和内存一 样,有地址线和数据线, 所以在NorFlash是可以运行+程序的,但是速度相对于内存要慢不少。

六，因为nor flash可以进行字节寻址，所以程序可以在nor flash中运行。嵌入式系统多用一个小容量的nor flash存储引导代码，用一个大容量的nand flash存放文件系统和内核。所以每次ZYNQ SDK jtag在线加载烧写到qspi flash，操作系统烧写到nand flash。