1.2 Flash memory architectures(flash架构)
Flash存储器主要有两种结构:NOR Flash 和NAND flash 。
NOR -- NAND flash 对比:
①从上图片中可以看出:NAND Flash只在两头有两个接触金属接出,因此面积较小,随机存储却慢;NOR反之。
②下图所示。NAND可以持续同时写入4~8kB,故其页写入速度很快。
③代码存储与执行:NOR Flash,需要bit读取; NAND:用于大数据存储。
1.3
几个概念:
SLC:single level cell,level指的是Vt。存储1bit。
MLC:Multi-level cell,应该特指4个Vt。可存储2bit。
8LC:8个Vt,3bit;
16LC:16个Vt,4bit。
SLC工艺可以用于上述其他的flash种类,但多level后,其性能和制造必然会加大难度。在存储器中两个参数需要考量:endurance and write speed。根据不同的需求,可以选择不同的存储器种类。
1.4 Application 应用
1.4.2 嵌入式存储器的几个类别
嵌入式存储器类别:
①Raw NAND:独立的Flash,焊接在PCB上。
ECC:Error correction
FTL:Flash translation layer。不是很明白,主机控制FTL控制flash,大约就是这么个东西。
②NAND with on-chip controller:用于代码和数据存储。作为NOR flash替换品,故部分NAND会有与NOR flash相同的控制接口。
③Multi-chip Package (MCP) : NAND+NOR+DRAM(maybe low power),用于代码、数据存储。主要用于手机中。
手机中的应用:存储系统架构:下图
存储与软件执行架构:
XIP:execute in place,代码/数据 存储于NOR flash,直接执行于NOR flash,伪SRAM做为工作内存。
SnD:store and download architecture ,见图可以理解,注意download大概是将OS download into DRAM。
Managed NAND solutions :
Driver(Host)→MMC bus→MMC controller → memory
灰色部分为一个flash芯片。
其实就是NAND集成了MMC controller (Block management、ECC都在硬件层实现了),这样子从host看来即使更新换代flash也不必更改接口代码。
NAND flash 通常用eMMC or eSD protocol 通信控制协议。
文章来源 -- 《Inside NAND Flash Memories 中文版》
更多推荐
Inside NAND Flash Memories.中文版. Chatper 1 Market and application
发布评论