Inside NAND Flash Memories.中文版. Chatper 1 Market and application

1.2 Flash memory architectures（flash架构）

Flash存储器主要有两种结构：NOR Flash 和NAND flash 。

NOR -- NAND flash 对比：

①从上图片中可以看出：NAND Flash只在两头有两个接触金属接出，因此面积较小，随机存储却慢；NOR反之。

②下图所示。NAND可以持续同时写入4~8kB，故其页写入速度很快。

③代码存储与执行：NOR Flash，需要bit读取； NAND：用于大数据存储。

1.3 

几个概念：

SLC：single level cell，level指的是Vt。存储1bit。

MLC：Multi-level cell，应该特指4个Vt。可存储2bit。

8LC：8个Vt，3bit；

16LC：16个Vt，4bit。

SLC工艺可以用于上述其他的flash种类，但多level后，其性能和制造必然会加大难度。在存储器中两个参数需要考量：endurance and write speed。根据不同的需求，可以选择不同的存储器种类。

1.4 Application 应用

1.4.2 嵌入式存储器的几个类别

嵌入式存储器类别：

①Raw NAND：独立的Flash，焊接在PCB上。

   ECC：Error correction

    FTL：Flash translation layer。不是很明白，主机控制FTL控制flash，大约就是这么个东西。

②NAND with on-chip controller：用于代码和数据存储。作为NOR flash替换品，故部分NAND会有与NOR flash相同的控制接口。

③Multi-chip Package (MCP) : NAND+NOR+DRAM(maybe low power)，用于代码、数据存储。主要用于手机中。

手机中的应用：存储系统架构：下图

 

存储与软件执行架构：

XIP：execute in place，代码/数据 存储于NOR flash，直接执行于NOR flash，伪SRAM做为工作内存。

SnD：store and download architecture ，见图可以理解，注意download大概是将OS download into DRAM。

 Managed NAND solutions ：

Driver(Host)→MMC bus→MMC controller → memory 

灰色部分为一个flash芯片。

其实就是NAND集成了MMC controller （Block management、ECC都在硬件层实现了），这样子从host看来即使更新换代flash也不必更改接口代码。

NAND flash 通常用eMMC or eSD protocol 通信控制协议。

 

文章来源 -- 《Inside NAND Flash Memories 中文版》